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Dipartimento di Ingegneria Elettrica e Tecnologie dell'Informazione 15

 
Codice progetto formativo
DIETI15
Requisiti
Laurea magistrale in Ing. Biomedica, Elettronica, Informatica, Automazione o delle Telecomunicazioni
Referente
Andrea Irace
Tema di lavoro
Simulazioni TCAD di dispositivi elettronici in GaN
Indirizzo sede tirocinio
Via Claudio
Codice
2.02.01
E-mail di riferimento
Codice Vacancy
0500018211000000000069494

 
 

Attività prevista

Simulazioni TCAD di dispositivi elettronici in GaN

 

Competenze attese a valle del tirocinio

Capacità di utilizzare piattaforme professionali di simulazione di dispositivi elettronici wide-bandgap

 

Punti di forza dell'esperienza proposta

I dispositivi elettronici wide-bandgap, realizzati ad esempio in SiC o GaN, si candidano come sostituiti del silicio nella realizzazione di circuiti ad elevata efficienza per l'abbattimento delle emissioni di CO2 ed il contenimento del Global Warming. Le maggiori industrie di semiconduttori stanno pertanto orientando la loro ricerca, sviluppo e produzione verso questo tipo di dispositivi.

 

Ore di lavoro settimanali

30

 
 

Le sedi SInAPSi

Sede Legale
Via Giulio Cesare Cortese, 29
Palazzo degli Uffici - piano terra
80133 Napoli
P.IVA: 00876220633

Email: sinapsi@unina.it
PEC: sinapsi@pec.unina.it
Sito: www.sinapsi.unina.it

Sede Operativa di Monte Sant'Angelo
Via Cinthia, 26 Complesso Universitario di Monte Sant'Angelo
Edificio 1 (Centri Comuni) - piano terra
80126 Napoli

Fax: 081 676768
Email: accoglienza.sinapsi@unina.it